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“新型嵌入式阻變存儲器(RRAM)研究”項目

成為杭電首個千萬級國家重點研發計劃項目

       近日,國家重點研發計劃“光電子與微電子器件及集成”重點專項2018年度項目立項名單公示結束,杭州電子科技大學微電子研究中心主任駱建軍教授主持的“新型嵌入式阻變存儲器(RRAM)研究”項目獲得立項。這是杭電歷史上第一個主持承擔的千萬級國家重點研發項目。

       國家重點研發計劃由原來的國家重點基礎研究發展計劃(973計劃)、國家高技術研究發展計劃(863計劃)、國家科技支撐計劃、國際科技合作與交流專項、產業技術研究與開發基金和公益性行業科研專項等整合而成,是針對事關國計民生的重大社會公益性研究,以及事關產業核心競爭力、整體自主創新能力和國家安全的戰略性、基礎性、前瞻性重大科學問題、重大共性關鍵技術和產品,為國民經濟和社會發展主要領域提供持續性的支撐和引領。本項目預算近4000萬元,獲得1700余萬中央財政經費支持,計劃基于過去研發成果基礎上,在數據存儲的核心硬科技即“芯片”方面取得重大突破。

     “新型嵌入式阻變存儲器(RRAM)研究”由駱建軍教授團隊牽頭組織,中科院微電子所積極支持,聯合了杭電產學研合作基地杭州華瀾微電子有限公司、中電58所、西安電子科技大學、復旦大學、無錫中微高科電子有限公司、無錫中微騰芯電子有限公司共同參與攻關,擬在新型半導體存儲器件--阻變存儲器(RRAM)方面取得突破性的進展,并打通從實驗室到產業化的關鍵環節,實現產業化應用。當前,嵌入式處理器(CPU)普遍使用NOR FLASH(或型閃存)作為存放程序代碼和數據的倉庫,但是工藝進步到40nm(納米)、28nm甚至14nm以下的情況下,FLASH無法兼顧和CPU邏輯電路工藝兼容而且可靠的進一步縮小尺寸,全世界都在研究新型的存儲器件,阻變存儲器(RRAM)就是其中的一種。RRAM是利用了特種材料的電阻記憶特性來實現數據的保存,國外已經開始工業化批量生產的嘗試,而國內還在實驗室階段。

       杭電微電子研究中心在片上系統芯片(SOC)、算法等方面有豐富經驗,本項目就是要組織全國幾家特色單位,深入實驗室階段的成果,研發出可靠、可重復利用的知識產權(IP)核,并通過摸索半導體工藝、應用各種算法、封裝測試技術來提高穩定性、可靠性,從而把我國新型儲存器RRAM技術推進到國際前沿水平。

       駱建軍教授主持該項目,也因此成為我校首個領銜主持千萬級國家重點項目的教師,代表著杭電科研實力的提升。微電子研究中心團隊是杭電第一個浙江省領軍型創新團隊,設計并產業化我國第一顆固態硬盤(SSD)集成電路控制器芯片,獲得浙江省科技進步一等獎。該中心的開創者、我國著名半導體專家鄧先燦教授對此很高興,她說:“集成電路芯片是電子信息系統的心臟,存儲器芯片好比是數據的倉庫,存儲控制器芯片是倉庫的看門人。我們正在努力,打造中國芯,實現一個夢想:把中國人的信息存放在中國人自己的硬盤中。”

       鄧教授的弟子遍布全球,提到駱建軍教授,她感到更為驕傲的是:“駱建軍有太多第一,比如,他是杭電第一個、也是迄今為止唯一一個提前一年畢業的碩士研究生,他是我們杭電自己培養的第一個博士。更重要的是,我相信他還會給我們更多的第一。”

 

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